[10a-A21-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:15 〜 10:30

[10a-A21-6] ドレイン電流モデルによるAlSiO/AlN/p型GaN MOSFETの界面状態評価

〇高根 倫史¹、成田 哲生¹、伊藤 健治^1,2、井口 紘子¹、岩崎 四郎¹、菊田 大悟¹ (1.豊田中研、2.名大未来研)

キーワード：

縦型GaNパワーデバイス、GaN MOSFET

I_D–V_G特性を解析することで、横型MOSFET（c面チャネル）と縦型トレンチゲートMOSFET（m面チャネル）のGaN伝導帯下端近傍における界面状態を比較評価した。