[10a-A21-1~13] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)

[10a-A21-7] Effect of channel effective field on carrier trapping at MOS interface in AlSiO/AlN/p-type GaN MOSFETs

〇Hitoshi Takane¹, Tetsuo Narita¹, Kenji Ito^1,2, Hiroko Iguchi¹, Shiro Iwasaki¹, Daigo Kikuta¹ (1.Toyota Central R&D Labs., Inc., 2.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:

Vertical GaN power device,GaN MOSFET

MOS界面におけるキャリア捕獲と基板バイアス、ボディアクセプタ濃度の相関を、界面直下のチャネル垂直電界と結び付けて議論する。