[10a-A21-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:30 〜 10:45

[10a-A21-7] AlSiO/AlN/p型GaN MOSFETのMOS界面におけるキャリア捕獲に対するチャネル垂直電界の影響

〇高根 倫史¹、成田 哲生¹、伊藤 健治^1,2、井口 紘子¹、岩崎 四郎¹、菊田 大悟¹ (1.豊田中研、2.名大未来研)

キーワード：

縦型GaNパワーデバイス、GaN MOSFET

MOS界面におけるキャリア捕獲と基板バイアス、ボディアクセプタ濃度の相関を、界面直下のチャネル垂直電界と結び付けて議論する。