講演情報

10:30 〜 10:45

[10a-A21-7]AlSiO/AlN/p型GaN MOSFETのMOS界面におけるキャリア捕獲に対するチャネル垂直電界の影響

〇高根倫史¹、成田哲生¹、伊藤健治^1,2、井口紘子¹、岩崎四郎¹、菊田大悟¹ (1.豊田中研、2.名大未来研)

縦型GaNパワーデバイス、GaN MOSFET

MOS界面におけるキャリア捕獲と基板バイアス、ボディアクセプタ濃度の相関を、界面直下のチャネル垂直電界と結び付けて議論する。