Presentation Information
[10a-A21-8]Impact of crystalline defects on electrical activity of Mg in N ion implanted GaN
〇Emi Kano1, Kosuke Ishikawa1, Jun Uzuhashi2, Kensuke Sumida1, Tetsuo Narita3, Masahiro Horita1, Zyunya Sahashi1, Lu Shun1, Jun Suda1, Tadakatsu Ohkubo2, Tetsu Kachi1, Nobuyuki Ikarashi1 (1.Nagoya Univ., 2.NIMS, 3.Toyota central R&D)
Keywords:
GaN,Mg ion implantation,TEM
Mg+Nイオン注入GaNにおいて、N注入により形成されるナノ欠陥がMgクラスター化を誘起し、その密度とMg濃度はMg注入量の増加とともに上昇した。一方、クラスター外のMg濃度はほぼ一定であった。温度依存Hall測定の結果、アクセプタ濃度NaはMg注入量1×10¹⁹ cm⁻³まで増加後に飽和し、補償ドナー濃度Ndは増加し続けた。その結果、実効アクセプタ濃度（Na−Nd）は4×10¹⁸ cm⁻³で最大となった。Mgクラスター中のMg原子がアクセプタおよびドナーの両方として機能し、実効アクセプタ濃度を決定することが示された。