講演情報
[10a-A21-8]Nイオン注入起因GaN中Mgクラスターのp型伝導特性への影響
〇狩野 絵美1、石川 晃輔1、埋橋 淳2、角田 健輔1、成田 哲生3、堀田 昌宏1、佐橋 潤也1、Shun Lu1、須田 淳1、大久保 忠勝2、加地 徹1、五十嵐 信行1 (1.名大、2.物材機構、3.豊田中研)
キーワード：
GaN、Mgイオン注入、TEM
Mg+Nイオン注入GaNにおいて、N注入により形成されるナノ欠陥がMgクラスター化を誘起し、その密度とMg濃度はMg注入量の増加とともに上昇した。一方、クラスター外のMg濃度はほぼ一定であった。温度依存Hall測定の結果、アクセプタ濃度NaはMg注入量1×10¹⁹ cm⁻³まで増加後に飽和し、補償ドナー濃度Ndは増加し続けた。その結果、実効アクセプタ濃度（Na−Nd）は4×10¹⁸ cm⁻³で最大となった。Mgクラスター中のMg原子がアクセプタおよびドナーの両方として機能し、実効アクセプタ濃度を決定することが示された。