[10a-A23-1~12] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)

[10a-A23-3] Transport Properties of InAs 2-Dimensional Electron Systems Grown via Interfacial Misfit Buffer Layer on GaAs Substrates

〇Takafumi Akiho¹, Yusuke Nakazawa¹, Hiroshi Irie¹, Norio Kumada¹, Koji Muraki¹ (1.NTT BRL)

Keywords:

InAs 2DES,MBE

誤り耐性を持つ量子ビットの実現に向け、高品質なInAs二次元電子系が必要である。高品質InAsは比較的高価で導電性を持つGaSb基板上に成長できるが、将来的な応用には高周波実験に適した絶縁基板上の成長が求められる。本研究では絶縁性GaAs基板上に界面不整合バッファ層を介して従来よりも高易動度なInAs二次元電子系を作製したので報告する。