[10a-A23-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

9:30 〜 9:45

[10a-A23-3] GaAs基板上に界面不整合バッファ層を介して成長したInAs二次元電子系の輸送特性

〇秋保 貴史¹、中澤 佑介¹、入江 宏¹、熊田 倫雄¹、村木 康二¹ (1.NTT物性研)

キーワード：

InAs二次元電子系、MBE結晶成長

誤り耐性を持つ量子ビットの実現に向け、高品質なInAs二次元電子系が必要である。高品質InAsは比較的高価で導電性を持つGaSb基板上に成長できるが、将来的な応用には高周波実験に適した絶縁基板上の成長が求められる。本研究では絶縁性GaAs基板上に界面不整合バッファ層を介して従来よりも高易動度なInAs二次元電子系を作製したので報告する。