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[10a-A23-4]Evaluation of In-Plane Crystallinity Inhomogeneity in HVPE-Grown InGaP Buffer Layers on GaAs Substrates Using Reciprocal Space Mapping
〇Ryuta Yamamoto1, Naoki Hashimoto1, Ryuji Oshima2, Takeyoshi Sugaya2, Hidetoshi Suzuki1 (1.MIyazaki Univ., 2.AIST)
Keywords:
HVPE,Reciprocal Space Mapping,Compound Semiconductor
格子不整合系3接合InGaP/GaAs/InGaAs太陽電池はウェハ面内で電気特性がばらついてしまう。この原因の一つにGaAs/InGaAs間に挿入されたInGaPステップグレーデッドバッファー(SGB)層において転位すべり面の分布が不均一があげられる。そこで本研究ではHVPE法によりGaAs基板上に作製されたSGB層を対象に、逆格子マッピングを用いて傾斜傾向および結晶性の面内不均一性を評価した。