[10a-A23-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

9:45 〜 10:00

[10a-A23-4] HVPE法でGaAs基板上に作製されたInGaPバッファー層の逆格子マッピングを用いた結晶性の面内不均一評価

〇山本 隆太¹、橋本 直樹¹、大島 隆治²、菅谷 武芳²、鈴木 秀俊¹ (1.宮崎大工、2.産総研)

キーワード：

ハイドライド気相成長法、逆格子マッピング、化合物半導体

格子不整合系3接合InGaP/GaAs/InGaAs太陽電池はウェハ面内で電気特性がばらついてしまう。この原因の一つにGaAs/InGaAs間に挿入されたInGaPステップグレーデッドバッファー(SGB)層において転位すべり面の分布が不均一があげられる。そこで本研究ではHVPE法によりGaAs基板上に作製されたSGB層を対象に、逆格子マッピングを用いて傾斜傾向および結晶性の面内不均一性を評価した。