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10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)

[10a-A23-5]Evaluation of in-plane non-uniformity of the nitrogen distribution in GaAsN/GaAs superlattice thin films grown by atomic layer epitaxy

〇Yuji Horiba¹, Toranosuke Takeo¹, Hayato Koto¹, Masahiro Kawano², Hidetoshi Suzuki¹ (1.Miyazaki Univ., 2.Toyota Technological Inst.)

crystal engineering,GaAsN/GaAs,superlattice thin films

本研究では、GaAsN/GaAs超構造試料に対して、高輝度X線を用いて試料面内のX線照射位置を変えながら(004)面の逆格子マッピングを測定し、面内方向の超格子周期分布を詳細に評価することで面内方向のN分布不均一性を明らかにすることを目的とする。