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[10a-A23-5]ALE法で作製されたGaAsN/GaAs超構造薄膜におけるN分布の面内不均一性の評価

〇堀場 祐志1、竹尾 虎之助1、古藤 隼人1、河野 将大2、鈴木 秀俊1 (1.宮崎大工、2.豊田工大)

キーワード:

結晶工学、GaAsN/GaAs、超構造薄膜

本研究では、GaAsN/GaAs超構造試料に対して、高輝度X線を用いて試料面内のX線照射位置を変えながら(004)面の逆格子マッピングを測定し、面内方向の超格子周期分布を詳細に評価することで面内方向のN分布不均一性を明らかにすることを目的とする。