[10a-B31-1~12] 6.1 Ferroelectric thin films

11:30 AM - 11:45 AM JST(2:30 AM - 2:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10a-B31-10] Influence of Thickness on the Stability of the Antiferroelectric Phase in (111)-Epitaxial PbZrO₃ Thin Films

〇(M1)Koki Otani¹, Shinya Kondo¹, Tomoaki Yamada¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:

antiferroelectric material

反強誘電体PbZrO₃薄膜は膜厚や歪みにより相安定性が変化する。本研究では、(111)配向エピタキシャルPbZrO₃薄膜を作製し、XRD、P-E測定、PFMにより膜厚依存性を評価した。厚膜ではAFE相、薄膜ではFE相の安定化が示唆され、相制御機構の理解に有用な知見を得た。