[10a-E101-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)

[10a-E101-6] Lasing wavelength control in long-cavity VCSELs with AlInN/GaN DBRs

〇Taiki Kitamura¹, Shoki Arakawa¹, Haruki Soma¹, Shibahara Naoki¹, Atsunori Tokushi¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:

GaN VCSEL,Nitride semiconductor

AlInN/GaN DBR上GaN共振器VCSELにおいて、その場反射率測定を用いた膜厚制御手法を4λおよび10λ共振器へ適用し、設計波長との差を評価した。4λ共振器では±1 nm以内で制御できたが、10λ共振器では約−1.5 nmの短波長化が生じ、制御範囲外となった。成長中の反射率解析からGaNの成長速度増加が確認され、これに基づけば共振波長は長波長化するが、実験結果とは逆の傾向を示した。以上、長共振器構造では従来手法と異なる現象が生じる可能性が示唆された。