講演情報
[10a-E101-6]AlInN/GaN DBRを有する長共振器VCSELにおける共振波長制御の検討
〇北村 太希1、荒川 将輝1、相馬 晴輝1、柴原 直暉1、禿子 温教1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工)
キーワード：
GaN VCSEL、窒化物半導体
AlInN/GaN DBR上GaN共振器VCSELにおいて、その場反射率測定を用いた膜厚制御手法を4λおよび10λ共振器へ適用し、設計波長との差を評価した。4λ共振器では±1 nm以内で制御できたが、10λ共振器では約−1.5 nmの短波長化が生じ、制御範囲外となった。成長中の反射率解析からGaNの成長速度増加が確認され、これに基づけば共振波長は長波長化するが、実験結果とは逆の傾向を示した。以上、長共振器構造では従来手法と異なる現象が生じる可能性が示唆された。