[10a-E101-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10a-E101-7] Resonance Wavelength Control in GaN-based VCSELs with an AlInN Underlayer Using In-situ Monitoring

〇Haruki Souma¹, Shoki Arakawa¹, Taiki Kitamura¹, Naoki Shibahara¹, Atsunori Tokushi¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki iwaya¹, Satoshi Kamiyama¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:

VCSEL

GaN系VCSELは高精度な共振波長制御が不可欠である。本研究では、その場反射率スペクトル測定を用い、成長レートを事前に把握せずに一度の成長で制御可能かを検証した。AlInN下地層を導入した構造においても、目標422 nmに対し421.7 nmを達成し、±0.3%以内の高精度制御を実証した。本研究は、一度の成長で構造変更の影響のみを正確に評価可能とし、研究開発の加速に有効と示した。