講演情報
[10a-E101-7]AlInN下地層を有するGaN系面発光レーザーのその場観察による共振波長制御
〇相馬 晴輝1、荒川 将輝1、北村 太希1、柴原 直暉1、禿子 温教1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、上山 智1 (1.名城大理工)
キーワード：
面発光レーザー
GaN系VCSELは高精度な共振波長制御が不可欠である。本研究では、その場反射率スペクトル測定を用い、成長レートを事前に把握せずに一度の成長で制御可能かを検証した。AlInN下地層を導入した構造においても、目標422 nmに対し421.7 nmを達成し、±0.3%以内の高精度制御を実証した。本研究は、一度の成長で構造変更の影響のみを正確に評価可能とし、研究開発の加速に有効と示した。