Presentation Information
[10a-E218-2]Ultra-High-Speed Etching of SiO2 Films on Silicon Wafers Using a Reactive Atmospheric-Pressure Thermal Plasma Jet
〇Taiga Omoda1, Jiawen Yu1, Hiroaki Hanafusa1, Seiichiro Higashi1 (1.Hiroshima Univ.)
Keywords:
semiconductor,etching
絶縁膜は化学的安定性が高く、ウェットエッチングでは加工速度や形状制御に限界があるため、プラズマドライエッチングが広く用いられている。我々はこれまでに、反応性大気圧熱プラズマジェット（R-TPJ）を用いてフォトレジストに対し84.2 µm/sの高速エッチングを達成した。本研究では、絶縁膜エッチングへ応用し、SiO₂膜のエッチングレートを評価するとともに、投入電力およびガス流量がエッチング特性に及ぼす影響について調査した。