講演情報
[10a-E218-2]反応性大気圧熱プラズマジェットを用いたシリコンウェハ上SiO₂膜の超高速エッチング
〇表田 大河1、YU JIAWEN1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大院先進理工)
キーワード：
半導体、エッチング
絶縁膜は化学的安定性が高く、ウェットエッチングでは加工速度や形状制御に限界があるため、プラズマドライエッチングが広く用いられている。我々はこれまでに、反応性大気圧熱プラズマジェット（R-TPJ）を用いてフォトレジストに対し84.2 µm/sの高速エッチングを達成した。本研究では、絶縁膜エッチングへ応用し、SiO₂膜のエッチングレートを評価するとともに、投入電力およびガス流量がエッチング特性に及ぼす影響について調査した。