[10a-E218-1~11] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10a-E218-3] Evaluation of Damages Indued by SiGe selective Etching and Subsequential Si Etching

〇Haruki Asanuma¹, Tomoki Otani¹, Yuta Ito^1,2, Takuto Watanabe¹, Atsushi Ogura^1,3 (1.Meiji Univ., 2.JSPS Research Fellow, 3.MREL)

Keywords:

SiGe selective etching,Photoluminescence,Carrier lifetime

近年、半導体の高集積化に対応するため、チャネルを3次元的に積層したGate-All-Around（GAA）FETの開発が進められている。GAA構造の形成にはSiGe選択エッチングによるSiナノシートチャネル形成が不可欠であるが、その過程で生じるSiGe/Si界面へのダメージによるキャリア散乱や移動度低下が懸念される。そこで本研究では、SiGe選択エッチングおよび追加SiエッチングプロセスによるSi表面ダメージの評価を目的とした。