[10a-E218-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[10a-E218-3] SiGe選択エッチングおよび追加Siエッチングによるダメージ評価

〇浅沼 治樹¹、大谷 知輝¹、伊藤 佑太^1,2、渡辺 拓音¹、小椋 厚志^1,3 (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.明治大MREL)

キーワード：

SiGe選択エッチング、フォトルミネッセンス、キャリアライフタイム

近年、半導体の高集積化に対応するため、チャネルを3次元的に積層したGate-All-Around（GAA）FETの開発が進められている。GAA構造の形成にはSiGe選択エッチングによるSiナノシートチャネル形成が不可欠であるが、その過程で生じるSiGe/Si界面へのダメージによるキャリア散乱や移動度低下が懸念される。そこで本研究では、SiGe選択エッチングおよび追加SiエッチングプロセスによるSi表面ダメージの評価を目的とした。