Presentation Information
[10a-E218-5]Investigation of Conditions for Controlling the Onset of Explosive Crystallization in Amorphous Silicon Films via Laser-Assisted FLA
〇Souma Shimabukuro1, Kensaku Maeda1, Keisuke Ohdaira1 (1.JAIST)
Keywords:
Flash Lamp Annealing,Thin-film crystalline silicon
レーザー補助FLAによる、膜厚約5 µmのa-Si膜の爆発的結晶化(EC)の起点制御に適する条件を探索した。レーザー照射強度48 mJ/cm2、照射タイミングを5.2 ms遅延させた条件で、レーザー照射位置を起点としたECが確認できた。レーザー照射のみのラマンスペクトルから、190 mJ/cm2以下では結晶化しないことが分かったため、微小なエネルギー付与でEC起点を制御できることが分かった。