講演情報
[10a-E218-5]レーザー補助FLAによる非晶質Si膜の爆発的結晶化起点制御の条件探索
〇島袋 颯馬1、前田 健作1、大平 圭介1 (1.北陸先端大)
キーワード：
フラッシュランプアニール、薄膜結晶Si
レーザー補助FLAによる、膜厚約5 µmのa-Si膜の爆発的結晶化(EC)の起点制御に適する条件を探索した。レーザー照射強度48 mJ/cm2、照射タイミングを5.2 ms遅延させた条件で、レーザー照射位置を起点としたECが確認できた。レーザー照射のみのラマンスペクトルから、190 mJ/cm2以下では結晶化しないことが分かったため、微小なエネルギー付与でEC起点を制御できることが分かった。