[10a-E301-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10a-E301-3] Solid-phase epitaxy of conductive Nb-doped tin oxide thin films by excimer laser annealing

〇(M2)Yukata Nakano¹, Gaku Hirose¹, Satoru Kaneko^2,1, Matsuda Akifumi¹ (1.Science Tokyo, 2.KISTEC)

Keywords:

tin oxides,epitaxial thin films,excimer laser annealing

SnO₂薄膜におけるエピタキシャル成長とn型ドーピング制御は、半導体デバイス応用に際して意義が大きい。本研究ではエキシマレーザーアニーリング(ELA)による急速固相結晶化に着目し、積層界面のイオン拡散とドーピング制御を研究した。その結果、非晶質Nb₂O₅/SnO₂積層薄膜に対して大気中でELAを行い、ルチル型SnO₂ (101)薄膜の固相エピタキシーおよびNb⁵⁺ドーピングを示す導電性向上を得た。