[10a-E301-1~12] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[10a-E301-3] エキシマレーザーアニーリングによる導電性Nbドープ酸化スズ薄膜の固相エピタキシー

〇(M2)仲野 由剛¹、廣瀬 岳¹、金子 智^2,1、松田 晃史¹ (1.東京科学大学、2.神奈川県産技総研)

キーワード：

酸化スズ、エピタキシャル薄膜、エキシマレーザーアニーリング

SnO₂薄膜におけるエピタキシャル成長とn型ドーピング制御は、半導体デバイス応用に際して意義が大きい。本研究ではエキシマレーザーアニーリング(ELA)による急速固相結晶化に着目し、積層界面のイオン拡散とドーピング制御を研究した。その結果、非晶質Nb₂O₅/SnO₂積層薄膜に対して大気中でELAを行い、ルチル型SnO₂ (101)薄膜の固相エピタキシーおよびNb⁵⁺ドーピングを示す導電性向上を得た。