[10a-E301-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10a-E301-7] Effective channel thickness indium oxide thin-film transistors

〇(M2)Shoma Akatsuka¹, Prashant Ghediya², Yusaku Magari², Yasutaka Matsuo², Hiromichi Ohta² (1.IST-Hokkaido U., 2.RIES-Hokkaido U.)

Keywords:

TFT,Thin film growth,Metal oxide

次世代ディスプレイ用途には移動度 70 cm2 /Vs 以上のTFTが必要とされており、In2O3-TFT がその最有力候補である。当研究グループでは In2O3-TFTの開発に向けて、これまでにパッシベーション層の最適化や結晶粒径増大に必要な水素の添加方法の提案を行ってきた。本研究では熱電能電界変調法によりIn2O3-TFTの有効チャネル厚さを計測した。その結果、In2O3薄膜の膜厚が5 nm のときに移動度が極大値を示し、その際の有効チャネル厚さが約2 nm であることを明らかにした。