[10a-E301-1~12] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[10a-E301-7] 酸化インジウム薄膜トランジスタの有効チャネル厚さ

〇(M2)赤塚 翔天¹、ゲディヤ プラシャント²、曲 勇作²、松尾 保孝²、太田 裕道² (1.北大院情報、2.北大電子研)

キーワード：

TFT、薄膜成長、金属酸化物

次世代ディスプレイ用途には移動度 70 cm2 /Vs 以上のTFTが必要とされており、In2O3-TFT がその最有力候補である。当研究グループでは In2O3-TFTの開発に向けて、これまでにパッシベーション層の最適化や結晶粒径増大に必要な水素の添加方法の提案を行ってきた。本研究では熱電能電界変調法によりIn2O3-TFTの有効チャネル厚さを計測した。その結果、In2O3薄膜の膜厚が5 nm のときに移動度が極大値を示し、その際の有効チャネル厚さが約2 nm であることを明らかにした。