Presentation Information
[10a-E301-8]Combustion-based High-k HfO2 for High-Performance SixSnyO Thin-film Transistors
〇Shohei Adachi1, Candell Grace P Quino1, Juan Paolo S Bermundo1, Yukiharu Uraoka1, Kosuke Hara1 (1.NAIST)
Keywords:
SnO2 TFT,HfO2 gate insulator,Solution combustion synthesis
本研究では、溶液燃焼合成（SCS）法により300 ℃の低温で形成したHfO2ゲート絶縁膜をSi添加SnO2（SixSnyO）TFTへ適用し、電気特性の改善を検討した。HfO2の導入によりターン・オン電圧は−14.1 Vから0.20 Vへシフトし、低電圧動作を実現した。また、HfO2の適用によるヒステリシスの低減およびHfO2の膜厚の増加に伴う移動度の向上を確認した。これらの結果から、SCS法により、低温形成されたHfO2がSixSnyO TFTの高性能化に有効であることを示した。