[10a-E301-1~12] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[10a-E301-8] 溶液燃焼合成法を用いた高誘電率HfO₂ゲート絶縁膜による Si_xSn_yO 薄膜トランジスタの高性能化

〇安達 昌平¹、Candell Grace P Quino¹、Juan Paolo S Bermundo¹、浦岡 行治¹、原 康祐¹ (1.奈良先端大)

キーワード：

SnO2 薄膜トランジスタ、HfO2 ゲート絶縁膜、溶液燃焼合成法

本研究では、溶液燃焼合成（SCS）法により300 ℃の低温で形成したHfO₂ゲート絶縁膜をSi添加SnO₂（Si_xSn_yO）TFTへ適用し、電気特性の改善を検討した。HfO₂の導入によりターン・オン電圧は−14.1 Vから0.20 Vへシフトし、低電圧動作を実現した。また、HfO₂の適用によるヒステリシスの低減およびHfO₂の膜厚の増加に伴う移動度の向上を確認した。これらの結果から、SCS法により、低温形成されたHfO₂がSi_xSn_yO TFTの高性能化に有効であることを示した。