[10a-F211-1~8] 13.3 Insulator technology

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)

[10a-F211-1] In-situ structural relaxation of Si thermal oxide films during film growth; dependence
on surface orientation and oxidation conditions

〇Eiji Kamiyama^1,2, Koji Sueoka² (1.GlobalWafers Japan Co., Ltd., 2.Okayama Pref. Univ.)

Keywords:

silicon,Thermal Oxidation,Structural relaxation

本研究では，Itoh [J. Appl. Phys. 138, 095302 (2025)]が解析を行ったSi(100)以外の面方位で，どのような活性化エネルギーが得られるか，またwet 酸化の場合にはどのような結果となるか，更に温度帯によって活性化エネルギーに差が生じないかの3 点に注目して調査した結果について報告する．