[10a-F211-1~8] 13.3 絶縁膜技術

9:00 〜 9:15

[10a-F211-1] Si 熱酸化膜の膜成長時に並行して進行する構造緩和；その面方位・酸化条件依存性

〇神山 栄治^1,2、末岡 浩治² (1.グローバルウェーハズ・ジャパン㈱、2.岡山県立大情報工)

キーワード：

シリコン、熱酸化、構造緩和

本研究では，Itoh [J. Appl. Phys. 138, 095302 (2025)]が解析を行ったSi(100)以外の面方位で，どのような活性化エネルギーが得られるか，またwet 酸化の場合にはどのような結果となるか，更に温度帯によって活性化エネルギーに差が生じないかの3 点に注目して調査した結果について報告する．