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9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10a-F211-4]Analysis of Si Dry Oxidation at Atmospheric Pressure and High Temperature: Verification of the Model of Loops A/B & L-P

〇(M2)Hengyu Wen¹, Yasutaka Tsuda², Yuki Okabe¹, Akitaka Yoshigoe², Yuji Takakuwa³, Shuichi Ogawa¹ (1.Nihon Univ., 2.JAEA, 3.Tohoku Univ.)

Keywords:

silicon oxide film,Interface oxidation,Real-time XPS

Siドライ酸化の酸化膜厚X_Oは、酸化誘起応力により生成した空孔が界面でのO₂解離吸着サイトとして機能し、酸化により空孔は消失するが、体積膨張により点欠陥を引き起こす。このような空孔とSi-O切断サイトでの酸化を結びつけて、X_Oの全領域を記述できる統合Si酸化反応モデルを構築し（Loops A/B & L-P）、式を得た。X_Oについてこの式を用いて最小二乗法でフィッティングした。測定範囲の全てのX_Oデータについて、良い一致が得られた

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