講演情報

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[10a-F211-4]大気圧・高温でのSiドライ酸化の解析：Loops A/B & L-Pモデルの検証

〇(M2)Wen Hengyu¹、津田泰孝²、岡部優希¹、吉越章隆²、高桑雄二³、小川修一¹ (1.日本大学、2.原子力機構、3.東北大学)

キーワード：

シリコン酸化膜、界面酸化、リアルタイムXPS

Siドライ酸化の酸化膜厚X_Oは、酸化誘起応力により生成した空孔が界面でのO₂解離吸着サイトとして機能し、酸化により空孔は消失するが、体積膨張により点欠陥を引き起こす。このような空孔とSi-O切断サイトでの酸化を結びつけて、X_Oの全領域を記述できる統合Si酸化反応モデルを構築し（Loops A/B & L-P）、式を得た。X_Oについてこの式を用いて最小二乗法でフィッティングした。測定範囲の全てのX_Oデータについて、良い一致が得られた

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