[10a-N102-1~9] KS5 Atomic Layer Process Group

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)

[10a-N102-2] Deposition Characteristics of In₂O₃ by ALD Using a Microwave Remote Plasma Source

〇Satoshi Maruya¹, Tamai Toshihiro¹, Takahashi Takanori², Uraoka Yukiharu² (1.HORIBA STEC, 2.NAIST)

Keywords:

atomic layer deposition,microwave remote plasma,indium oxide

In₂O₃は高い電子移動度を有し、ALDによる低温成膜が可能である。一方、トリエチルインジウムなどの前駆体を用いた熱ALDでは十分な酸化が得られにくい。そこで、本研究では高密度プラズマを安定に生成できるマイクロ波プラズマ源を用いたリモート供給型ALDを検討し、マイクロ波リモートプラズマ源の形状および成膜条件がIn₂O₃膜の膜厚均一性とFET移動度に及ぼす影響を調べた。