講演情報
[10a-N102-2]マイクロ波リモートプラズマ源を用いた原子層堆積におけるIn2O3の成膜特性
〇丸谷 智1、玉井 駿広1、高橋 崇典2、浦岡 行治2 (1.堀場エステック、2.奈良先端大)
キーワード：
原子層堆積、マイクロ波リモートプラズマ、酸化インジウム
In2O3は高い電子移動度を有し、ALDによる低温成膜が可能である。一方、トリエチルインジウムなどの前駆体を用いた熱ALDでは十分な酸化が得られにくい。そこで、本研究では高密度プラズマを安定に生成できるマイクロ波プラズマ源を用いたリモート供給型ALDを検討し、マイクロ波リモートプラズマ源の形状および成膜条件がIn2O3膜の膜厚均一性とFET移動度に及ぼす影響を調べた。