[10a-N102-1~9] KS5 Atomic Layer Process Group

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10a-N102-5] Temperature Dependence of the Growth Behavior of AlO_x Thin Films Deposited by Plasma-Enhanced and Thermal Atomic Layer Deposition

〇Kohei Matsuo¹, Naohiro Furutani¹, Tomoki Uehara¹, Takayuki Kobayashi¹ (1.Samco Inc.)

Keywords:

Atomic layer deposition,Plasma process,AlOx thin film

原子層堆積 (ALD) プロセスは、自己停止反応が成立するALDウィンドウではGrowth per Cycle（GPC）が一定となることが知られている。しかし、ALDウィンドウ内においても膜中不純物濃度や膜質が成膜温度に依存して変化することが報告されている。このことは、見かけ上は同一のGPCを示す場合であっても、成長挙動や膜質が必ずしも同一ではない可能性を示唆している。そこで本研究では、Si基板上にプラズマ強化ALD (PE-ALD) および熱ALD (Thermal-ALD) により成膜したAlO_x薄膜について、GPCの成長温度依存性を評価し、PE-ALDおよびThermal-ALDにおける成長挙動と膜質の違いについて検討した。