講演情報
[10a-N102-5]プラズマ強化および熱原子層堆積法におけるAlOx薄膜の成長挙動の温度依存性
〇松尾 倖平1、古谷 直大1、上原 知起1、小林 貴之1 (1.サムコ株式会社)
キーワード：
原子層堆積法、プラズマプロセス、AlOx薄膜
原子層堆積 (ALD) プロセスは、自己停止反応が成立するALDウィンドウではGrowth per Cycle（GPC）が一定となることが知られている。しかし、ALDウィンドウ内においても膜中不純物濃度や膜質が成膜温度に依存して変化することが報告されている。このことは、見かけ上は同一のGPCを示す場合であっても、成長挙動や膜質が必ずしも同一ではない可能性を示唆している。そこで本研究では、Si基板上にプラズマ強化ALD (PE-ALD) および熱ALD (Thermal-ALD) により成膜したAlOx薄膜について、GPCの成長温度依存性を評価し、PE-ALDおよびThermal-ALDにおける成長挙動と膜質の違いについて検討した。