Presentation Information
[10a-PA3-15]Growth of Cu2SnS3 semiconductor crystal and evaluation of bandgap energy
〇Kyohei Kurita1, Shunji Ozaki1 (1.Gunma Univ)
Keywords:
semiconductor
I2-Ⅳ-Ⅵ3族のCu2SnS3(CTS)は、直接遷移型の化合物半導体と考えられており、太陽電池の光吸収層としての応用が期待されている。しかし、薄膜での研究報告例が多く、バンドギャップエネルギー（Eg）も報告によって異なるなど、基礎的な光学物性は充分にわかっていない。今回我々はCTS半導体バルク結晶を育成し、光吸収測定を行うことでEg を評価したので報告する