講演情報
[10a-PA3-15]Cu2SnS3半導体結晶の育成とバンドギャップエネルギーの評価
〇栗田 皓平1、尾崎 俊二1 (1.群馬大理工)
キーワード：
半導体
I2-Ⅳ-Ⅵ3族のCu2SnS3(CTS)は、直接遷移型の化合物半導体と考えられており、太陽電池の光吸収層としての応用が期待されている。しかし、薄膜での研究報告例が多く、バンドギャップエネルギー（Eg）も報告によって異なるなど、基礎的な光学物性は充分にわかっていない。今回我々はCTS半導体バルク結晶を育成し、光吸収測定を行うことでEg を評価したので報告する