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[10a-S1-8]Electrical Characterization of n-MOSFETs on Si(110) Vicinal Substrates
〇Ryotaro Shimura1, Yutong Chen1, Koji Matsumoto2, Akihiro Suzuki2, Hiroaki Yamamoto2, Kazuhito Matsukawa2, Mitsuru Takenaka1, Shinichi Takagi1,3, Kasidit Toprasertpong1 (1.Uinv. Tokyo, 2.SUMCO Corp., 3.Teikyo Univ.)
Keywords:
Si (110),off-angle,mobility
近年、Si MOSFETはGAAFETなどの三次元構造化に伴って、キャリア輸送特性や界面特性に影響を与えるチャネル面方位の重要性が高まり、Si(110)面は高い正孔移動度や対称性の高い輸送特性を有することから注目されている。一方、基板のオフ角は表面構造を決める重要な要素であり、GAAFETのナノシート構造形成に用いられるエピタキシャル成長において重要である。さらに、オフ角に起因する表面構造の変化はMOSFETの電気特性にも影響を及ぼす可能性がある。しかしSi(110)面のオフ角がMOS構造に与える影響は十分明らかになっていなかった。我々はこれまでにSi(110)面のオフ角がMOSキャパシタの界面特性に与える影響を調べてきた。本研究では、Si(110)面微傾斜基板上にn-MOSFETを作製し、Si(110)面のオフ角がn-MOSFETのデバイス特性に与える影響を調べたので報告する。