講演情報
[10a-S1-8]Si(110)微傾斜基板上のn-MOSFETにおける電気特性評価
〇志村 瞭太朗1、陳 育同1、松本 光二2、鈴木 陽洋2、山本 博昭2、松川 和人2、竹中 充1、高木 信一1,3、ﾄｰﾌﾟﾗｻｰﾄﾎﾟﾝ ｶｼﾃﾞｨｯﾄ1 (1.東大院工、2.株式会社SUMCO、3.帝京大)
キーワード：
Si (110)、オフ角、移動度
近年、Si MOSFETはGAAFETなどの三次元構造化に伴って、キャリア輸送特性や界面特性に影響を与えるチャネル面方位の重要性が高まり、Si(110)面は高い正孔移動度や対称性の高い輸送特性を有することから注目されている。一方、基板のオフ角は表面構造を決める重要な要素であり、GAAFETのナノシート構造形成に用いられるエピタキシャル成長において重要である。さらに、オフ角に起因する表面構造の変化はMOSFETの電気特性にも影響を及ぼす可能性がある。しかしSi(110)面のオフ角がMOS構造に与える影響は十分明らかになっていなかった。我々はこれまでにSi(110)面のオフ角がMOSキャパシタの界面特性に与える影響を調べてきた。本研究では、Si(110)面微傾斜基板上にn-MOSFETを作製し、Si(110)面のオフ角がn-MOSFETのデバイス特性に与える影響を調べたので報告する。