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11:30 AM - 11:45 AM JST(2:30 AM - 2:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10a-S2-10]Fabrication of p-type transistor devices of metastable van der Waals semiconductor material GeTe₂ and investigation of electrode metals

〇(D)Yu Kato¹, Mihyeon Kim¹, Yuta Saito^1,2 (1.Tohoku Univ., 2.GXT, Tohoku Univ.)

Keywords:

vdW materials,semiconductor,transistor

従来のSiテクノロジーが微細化限界を迎えることが予想されている中で，層状材料を半導体デバイスに応用することが検討されている。近年、薄膜でのみ存在し得る準安定材料のGeTe2が層状構造を有することが報告された。そこで、本研究ではGeTe₂をチャネルとしたトランジスタデバイスを作製し，その特性を評価すると共に電極金属の特性への影響を調査した．

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[10a-S2-10]Fabrication of p-type transistor devices of metastable van der Waals semiconductor material GeTe2 and investigation of electrode metals

Keywords:

[10a-S2-10]Fabrication of p-type transistor devices of metastable van der Waals semiconductor material GeTe₂ and investigation of electrode metals