講演情報
[10a-S2-10]準安定層状半導体材料GeTe2のp型トランジスタデバイス作製および電極金属の検討
〇(D)加藤 侑1、金 美賢1、齊藤 雄太1,2 (1.東北大院工、2.東北大GXT)
キーワード：
層状材料、半導体、トランジスタ
従来のSiテクノロジーが微細化限界を迎えることが予想されている中で，層状材料を半導体デバイスに応用することが検討されている。近年、薄膜でのみ存在し得る準安定材料のGeTe2が層状構造を有することが報告された。そこで、本研究ではGeTe2をチャネルとしたトランジスタデバイスを作製し，その特性を評価すると共に電極金属の特性への影響を調査した．