Presentation Information
[10a-S2-2]Effect of hBN Thickness on Conductive AFM Imaging of hBN/WSe2
〇Yuki Shimomura1,2, Yuta Sawai1,2, Ryotaro Sakakibara1, Kenji Watanabe1, Takashi Taniguchi1, Shoji Yoshida3, Yasumitsu Miyata1,2 (1.NIMS, 2.Tokyo Metro. Univ., 3.Tsukuba Univ.)
Keywords:
conductive atomic force microscopy,transition metal dichalcogenides,hBN
導電性AFMを用い、hBN層数が単層WSe2点欠陥の電流像およびI-V特性に及ぼす影響を調べた。2層hBNでは明瞭な欠陥コントラストが観察された一方、4層ではトンネル電流が低下し、コントラストは弱くなった。また、3,4層では直接トンネル電流が抑制され、WSe2のバンドギャップを反映したdI/dVスペクトルが得られた。以上より、数層hBNがTMD欠陥評価と電子状態評価に有効であることを示した。