講演情報
[10a-S2-2]hBN/WSe2の導電性AFMイメージングにおけるhBN膜厚の影響
〇下村 侑生1,2、澤井 悠太1,2、榊原 涼太郎1、渡邊 賢司1、谷口 尚1、吉田 昭二3、宮田 耕充1,2 (1.NIMS、2.都立大理、3.筑波大数理)
キーワード：
導電性原子間力顕微鏡、遷移金属ダイカルコゲナイド、六方晶窒化ホウ素
導電性AFMを用い、hBN層数が単層WSe2点欠陥の電流像およびI-V特性に及ぼす影響を調べた。2層hBNでは明瞭な欠陥コントラストが観察された一方、4層ではトンネル電流が低下し、コントラストは弱くなった。また、3,4層では直接トンネル電流が抑制され、WSe2のバンドギャップを反映したdI/dVスペクトルが得られた。以上より、数層hBNがTMD欠陥評価と電子状態評価に有効であることを示した。