Presentation Information
[10a-S2-3]Heterophase Homocontact Transistors Based on Amorphous MoS2/Monolayer MoS2 Contact
〇Toshiya Sasaki1, Mihyeon Kim1, Fons Paul2, Wen Hsin Chan3, Takahiko Endo4, Yasumitsu Miyata4, Yuta Saito1,3,5 (1.Tohoku Univ., 2.Keio Univ., 3.AIST, 4.NIMS, 5.Tohoku Univ. GXT)
Keywords:
Transition Metal Chalcogenide,Contact,Simulation
次世代半導体チャネルとして注目されているMoS2は、電極との高いコンタクト抵抗低減と、3次元(c-type)コンタクトが実用化の鍵である。本研究は、アモルファスMoS2と結晶MoS2のコンタクト構造を計算・実験により調査した。今回は、機械学習ポテンシャルを用いた分子動力学計算やDFTによる計算と、成膜後の薄膜の耐熱性とトランジスタ特性について報告する。