講演情報
[10a-S2-3]アモルファスMoS2/モノレイヤーMoS2異相ホモコンタクトトランジスタの実現
〇佐々木 俊哉1、金 美賢1、Fons Paul2、張 文馨3、遠藤 尚彦4、宮田 耕充4、齊藤 雄太1,3,5 (1.東北大院工、2.慶應大理工、3.産総研、4.物材機構、5.東北大GXT)
キーワード：
遷移金属カルコゲナイド、コンタクト、シミュレーション
次世代半導体チャネルとして注目されているMoS2は、電極との高いコンタクト抵抗低減と、3次元(c-type)コンタクトが実用化の鍵である。本研究は、アモルファスMoS2と結晶MoS2のコンタクト構造を計算・実験により調査した。今回は、機械学習ポテンシャルを用いた分子動力学計算やDFTによる計算と、成膜後の薄膜の耐熱性とトランジスタ特性について報告する。