Presentation Information
[10a-S2-4]Formation of amorphous Ru-B contact for MoS2 channel
〇(M1)Koume Fujita1, Toshiya Sasaki1, Mihyeon Kim1, Tianyishan Sun2, Toshiaki Kato2, Yuta Saito1,3 (1.Tohoku Univ., 2.AIMR, Tohoku Univ., 3.GXT, Tohoku Univ.)
Keywords:
MoS2,amorphous contact,2D semiconductor
次世代半導体として注目されるMoS2は、電極との高い接触抵抗が実用化の障壁となっているほか、将来のC-type構造への対応が求められる。そこで本研究では、接触抵抗低減かつC-type構造実現に向けてアモルファスRu-B合金に着目した。シミュレーションの結果からBの存在がアモルファス相の形成に寄与することを示すとともに、MoS2に対しRu-Bアモルファス薄膜およびRu結晶薄膜をコンタクトさせたトランジスタの電気特性について報告する。