講演情報
[10a-S2-4]MoS2チャネルへのアモルファスRu-Bコンタクト形成
〇(M1)藤田 香梅1、佐々木 俊哉1、金 美賢1、Sun Tianyishan2、加藤 俊顕2、齊藤 雄太1,3 (1.東北大院工、2.東北大AIMR、3.東北大GXT)
キーワード：
MoS2、アモルファスコンタクト、二次元半導体
次世代半導体として注目されるMoS2は、電極との高い接触抵抗が実用化の障壁となっているほか、将来のC-type構造への対応が求められる。そこで本研究では、接触抵抗低減かつC-type構造実現に向けてアモルファスRu-B合金に着目した。シミュレーションの結果からBの存在がアモルファス相の形成に寄与することを示すとともに、MoS2に対しRu-Bアモルファス薄膜およびRu結晶薄膜をコンタクトさせたトランジスタの電気特性について報告する。