Presentation Information
[10a-S2-6]Sputtering-assisted Post-doping of V atoms into Monolayer MoS2
〇Ryotaro Sakakibara1, Zih-Siang Jian1,2,3, Yuta Sawai1,4, Wen-Hao Chang2,3, Yasumitsu Miyata1,4 (1.NIMS, 2.NYCU, 3.Academia Sinica, 4.Tokyo Metro. Univ.)
Keywords:
transition metal dichalcogenide,doping,TEM
2次元半導体のキャリア制御に向け、本研究では異種元素のスパッタ堆積とカルコゲン雰囲気中アニールを組み合わせた単層MoS2へのV原子ポストドーピングを検討した。CVD成長した単層MoS2上に微量のVをスパッタ堆積し、S雰囲気中でアニールした結果、Moサイトの一部がV原子に置換されていることが確認された。また、スパッタ条件の制御によりドープ量を調整可能であることが示唆された。本手法は、TMDデバイス応用に向けた簡便かつ汎用的なドーピング技術として期待される。