講演情報
[10a-S2-6]スパッタを用いた単層MoS2へのV原子のポストドーピング
〇榊原 涼太郎1、簡 子翔1,2,3、澤井 悠太1,4、張 文豪2,3、宮田 耕充1,4 (1.NIMS、2.陽明交通大、3.中央研究院、4.都立大)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド、ドーピング、透過電子顕微鏡
2次元半導体のキャリア制御に向け、本研究では異種元素のスパッタ堆積とカルコゲン雰囲気中アニールを組み合わせた単層MoS2へのV原子ポストドーピングを検討した。CVD成長した単層MoS2上に微量のVをスパッタ堆積し、S雰囲気中でアニールした結果、Moサイトの一部がV原子に置換されていることが確認された。また、スパッタ条件の制御によりドープ量を調整可能であることが示唆された。本手法は、TMDデバイス応用に向けた簡便かつ汎用的なドーピング技術として期待される。